on-resistance相关论文
A 3.3 kV 4H-SiC split gate MOSFET with a central implant region for superior trade-off between stati
A split gate MOSFET(SG-MOSFET)is widely known for reducing the reverse transfer capacitance(CRSS).In a 3.3 kV class,the ......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Substrate-bias effect on the breakdown characteristic in a new silicon high-voltage device structure
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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分析了采样保持电路中栅源自举开关的非线性特性,建立了行为级模型.基于MOS器件平方律模型和体效应,给出采样输出信号3次谐波失真H......
提出了一种阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS结构。漂移区采用P/N柱交替掺杂的方式形成纵向类超结。漂移区的P柱采用掺杂浓度从源端到......
为了降低传统沟槽MOSFET的导通电阻和栅漏电容,科研人员提出一种具有电荷平衡结构的SG-RSO MOSFET。在此基础上,利用电荷平衡理论......
输电线路杆塔利用电杆（铁塔）本体作为接地引线。铁塔全金属结构,作为接地引线,其性能良好;而混凝土电杆是由地线支架穿钉通过内配钢......
对具有埋层结构的集成大功率器件提出了导通电阻自限制二维模型。在假定条件成立时，推导出器件二维模型导通电阻自限制公式，得出了具......
本文提出了在LDMOS的高温等效电路，讨论了LDMOS泄漏电流及本征参数在25℃-300℃范围内随温度变化规律，根据本文分析：源漏Pn结的反向泄......
分析了功率VDMOS晶体管在小尺寸时准饱和效应的成因,并对其进行了理论证明和模拟验证.研究结果表明,在晶体管导通状态下,由于寄生J......
随着新能源应用的需求，直流变换器不断向小型化、高功率密度、低压大电流方向发展，作为直流变换器关键器件的功率金属氧化物半导体场......
为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求，研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施，它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新......
提出部分P/N型埋层（PBPL/PBNL)的高压SOILDMOS结构，并对其进行研究分析。在横向方向，部分硅埋层可以引入额外的电场尖峰，从而改善表面......
提出一种新颖的精确自适应斜坡补偿电路，与传统的自适应斜坡补偿电路不同，该电路不仅引入了输入、输出电压，还引入了电感电流和开关管......
本文对大功率场效应晶体管VDMOS器件的导通电阻与单元结构的参数进行了研究,重点讨论了栅宽、外延层厚度和浓度与导通电阻的关系,......
近些年来,采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着重于降低......
A 4H-SiC power MOSFET with specific on-resistance of 3.4 mΩ·cm^2 and breakdown voltage exceeding 1.5 kV is designe......
